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【判断题】

在蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜,一般首先生长成核层和缓冲层,以改善GaN外延薄膜的晶体质量。( )

A.
正确
B.
错误
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参考答案:
参考解析:
.
刷刷题刷刷变学霸
举一反三

【单选题】当进行有机械刮泥时,缓冲层高度为()

A.
0.2m
B.
0.6m
C.
上缘高出刮泥顶板 0.3m
D.
上缘高出刮泥顶板 0.5m

【多选题】缓冲层的选择原则是( )。

A.
具有较大的禁带宽度,以使更多的光能够透过缓冲层被吸收层吸收,贡献更大的光电流
B.
导带位置要与吸收层匹配,不会产生大的导带边失配(或称导带带阶)
C.
导电特性必须是低阻n型以保证足够大的接触电势差和耗尽区宽度,以便更好地实现电荷分离与收集
D.
具有与吸收层材料晶格匹配或有同源的阴离子,p-n结界面缺陷少,进而界面复合中心少