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【简答题】
当NPN半导体三极管的发射结正向偏置,( )反向偏置偏置时,三极管具有放大作用。
题目标签:
半导体
正向偏置
反向偏置
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【单选题】PN结正向偏置时
A.
P区接电源正极,N区接电源负极
B.
N区接电源正极,p区接电源负极
C.
电源急性可以任意调换
D.
不接电源
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【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有( )
A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
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【简答题】试述半导体特性及其应用。
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【简答题】二极管正向偏置时内阻是大还是小?
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【简答题】二极管反向偏置是指 ____
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【单选题】下列选项中不是半导体使用性能主要影响因素的是( )。
A.
温度
B.
杂质
C.
光照、电压及磁场
D.
导电性介于导体和绝缘体之间
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【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源,其特点有( )。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
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【判断题】二极管的型号基本能反映其所用半导体的材料、性能、类别及质量。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】PN 结反向偏置,其耗尽层会 ( ) 。
A.
变窄
B.
变宽
C.
不变
D.
不能确定
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【判断题】具有高能隙的半导体,通常具有窄的平台温度范围。( )
A.
正确
B.
错误
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【多选题】金属和半导体接触分包括:( )
A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触
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【单选题】根据TRIZ理论中关于专利登记的划分,半导体的发现属于( )级别。
A.
二(少量的改进)
B.
四(全新的概念)
C.
一(简单的解)
D.
三(根本性的改进)
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【判断题】PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大
A.
正确
B.
错误
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【多选题】下列属于化合物半导体太阳能电池的特点有()
A.
光吸收系数高,适合于薄膜化
B.
具有耐放射性损伤的特性
C.
温度特性优良,适合于聚光工作
D.
有望得到波长响应宽带域化的高效率
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【简答题】在本征半导体中加入()价的元素得到P型半导体。
查看完整题目与答案
【简答题】铜铟镓硒材料是一种( )带隙半导体。(填“直接”或“间接”)
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【多选题】PN结反向偏置时 ()
A.
P区接电源正极,N区接电源负极
B.
N区接电源正极, P区接电源负极
C.
反向电流较大
D.
反向电流较小
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【判断题】N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
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【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
正确
B.
错误
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B.
光电二极管
C.
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D.
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A.
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B.
杂质
C.
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A.
正确
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错误
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A.
变窄
B.
变宽
C.
不变
D.
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正确
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B.
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C.
非整流的欧姆接触
D.
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A.
正确
B.
错误
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光吸收系数高,适合于薄膜化
B.
具有耐放射性损伤的特性
C.
温度特性优良,适合于聚光工作
D.
有望得到波长响应宽带域化的高效率
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A.
P区接电源正极,N区接电源负极
B.
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C.
反向电流较大
D.
反向电流较小
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A.
正确
B.
错误
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A.
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贝尔
C.
洛克
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A.
正确
B.
错误
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