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【单选题】
SE序列去相位是指：()。
A.
180°脉冲激励时
B.
180°脉冲激励后
C.
90°脉冲激励时
D.
磁场不均匀引起去相位
E.
横向整体信号增大
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参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】设栈与队列初始状态为空。将元素A,B,C,D,E,F,G,H依次轮流入栈和入队,然后依次轮流出栈和退队,则输出序列为
A.
D,C,B,A,E,F,G,H
B.
G,B,E,D,C,F,A,H
C.
A,B,C,D,H,G,F,E
D.
B,G,D,E,F,C,H,A
【多选题】随机接入逻辑根序列的产生与那些参数有关？（）
A.
随机接入循环偏移类型RaNcsType
B.
随机接入循环偏移配置NcsPrach
C.
前导格式PreambleFormat
D.
基于竞争的前导序列个数NumRAPreambles
【多选题】关于MRA相位对比法的原理，正确的是
A.
基于流入性增强效应
B.
采用双极梯度场对流动进行编码
C.
两个梯度场的作用刚好完全抵消静止组织质子群的横向磁化矢量
D.
流动的质子群由于位置发生了变化，两个梯度场不能抵消
E.
流动质子群的横向磁化矢量相位变化得到保留，与静止组织形成相位对比