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【单选题】

影响形成体配位数的主要因素是()。

A.
形成体能提供的价层空轨道数
B.
空间效应,即形成体的半径与配体半径之比越大,配位数越大
C.
配位数随形成体电荷数增加而增大
D.
以上三条
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参考答案:
参考解析:
.
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举一反三

【单选题】配位数是:

A.
中心离子 ( 或原子 ) 接受配位体的数目
B.
中心离子 ( 或原子 ) 与配位离子所带电荷的代数和
C.
配位体所含配位原子的总数
D.
中心离子 ( 或原子 ) 与配位体所形成的配位键数目

【多选题】电晕对系统的影响有()。

A.
损耗电功率
B.
改变线路参数
C.
对通讯有相当大的影响
D.
没有影响

【多选题】下列配合物的配位数不是6的是

A.
K2[Co(SCN)4]
B.
Na2[SiF6]
C.
Na3[AlF6]
D.
[Cu(NH3)4]Cl2