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举一反三
【单选题】使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。
A.
u G S 大于 U GS ( th ) U G S ( t h )
B.
u G S 小于 U GS ( th )
C.
u G S 大于 U GS ( off )
D.
u G S 小于 U GS ( off )
相关题目：
【判断题】结型场效应管均为耗尽型。
A.
正确
B.
错误
【单选题】N沟道JFET的跨导 是
A.
一个固定值
B.
随电源电压 增大而增大
C.
随静态栅源电压 增大而增大
D.
随静态栅源电压 增大而减小
【多选题】N沟道推挽驱动器()
A.
需要二个N沟道器件
B.
实现正负电压驱动
C.
控制较简单
D.
需要一个电平转换器
【判断题】衬底为 P 型硅片的 MOS 管就是 P 沟道 MOS 管
A.
正确
B.
错误
【单选题】排水沟道的主要任务是（）
A.
排除地面余水和降低地下水位
B.
滞蓄涝水
C.
引水灌溉和交通运输
D.
水产养殖
【判断题】排水沟道的主要任务是水产养殖
A.
正确
B.
错误
【多选题】生产厂房内外工作场所的（ ）或沟道必须覆以与地面齐平的坚固的盖板。
A.
井
B.
坑
C.
孔
D.
洞
【判断题】常用的电力MOSFET是P沟道增强型
A.
正确
B.
错误
【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻不会明显变小。（ ）
A.
正确
B.
错误
【单选题】下列不属于水土保持工程措施沟道工程的是（）。
A.
沟头防护工程
B.
谷坊
C.
涝池
D.
淤地坝
【单选题】场效应管按性能分为耗尽型和（）。
A.
绝缘栅型
B.
耗尽型
C.
增强型
【判断题】NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
A.
正确
B.
错误
【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
A.
正确
B.
错误
【单选题】使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。
A.
u G S 大于 U GS ( th ) U G S ( t h )
B.
u G S 小于 U GS ( th )
C.
u G S 大于 U GS ( off )
D.
u G S 小于 U GS ( off )
【单选题】对于耗尽型MOSFET，工作在恒流区时，VGS_________
A.
>0
B.
<0
C.
=VDD
D.
任意