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【单选题】
当 P-N 结受光照时,样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。但能引起光伏效应的只能是( )。
A.
、本征吸收所激发的少数载流子
B.
、本征吸收所激发的多数载流子
C.
、非本征吸收所激发的少数载流子
D.
、非本征吸收所激发的多数载流子
题目标签:
光生载流子
本征吸收
光伏效应
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【单选题】以下哪项属于本征吸收损耗()。
A.
紫外吸收
B.
OH-离子吸收
C.
过渡金属离子吸收
D.
原子缺陷吸收
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【简答题】简述PN结光伏效应(分正偏、反偏、零偏三种情况)。
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【单选题】PN结上有内建电场。当PN结加上反向电压后,入射光主要在耗尽区被吸收,在耗尽区产生光生载流子(电子空穴对)。在耗尽区电场作用下,电子向N区漂移,空穴向P区漂移,产生光生电动势。在远离PN结的地方,因没有电场的作用,电子空穴作扩散运动,产生( )。因I层宽。加了反偏压后,空间电荷区加宽,绝大多数光生载流于部落在耗尽层内进行高效、高速漂移,产生( )。漂移电流远远大干扩散电流,所以PIN光电二极管...
A.
扩散电流、漂移电流
B.
扩散电流、扩散电流
C.
漂移电流、扩散电流
D.
漂移电流、漂移电流
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【多选题】关于本征吸收,以下说法正确的是?
A.
产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
B.
产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
C.
是电子从价带到导带的跃迁,产生电子-空穴对
D.
是电子从导带到价带的跃迁,并伴随发射光子能量
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【简答题】在PN结耗尽层,所有光生载流子几乎能够全部被收集,收集概率近似为 。
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【单选题】本征吸收损耗主要包括:()。
A.
红外吸收损耗、杂质吸收损耗
B.
紫外吸收损耗、杂质吸收损耗
C.
原子缺陷吸收损耗、红外吸收损耗
D.
紫外吸收损耗、红外吸收损耗
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【多选题】关于本征吸收中的直接跃迁和间接跃迁,以下说法正确的是?
A.
电子吸收能量从价带跃迁入导带产生光吸收时,必须遵守能量守恒和动量守恒
B.
把遵守选择定则的跃迁称为直接跃迁(或竖直跃迁)
C.
把不遵守选择定则的跃迁称为间接跃迁(或非竖直跃迁)
D.
直接跃迁只有电子和光子参与,没有声子参与
E.
间接跃迁是电子、光子和声子三者同时参与的过程
F.
选择定则是
G.
选择定则是
H.
直接跃迁是电子、光子和声子三者同时参与的过程
I.
间接跃迁只有电子和光子参与,没有声子参与
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【判断题】当光照射到半导体P-N结上,半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,就会产生光生载流子
A.
正确
B.
错误
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【简答题】光伏效应
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【简答题】【名词解释】本征吸收
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【判断题】光伏发电的主要原理是半导体的光伏效应。
A.
正确
B.
错误
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【多选题】关于 半导体中 光生载流子的分离说法错误的是
A.
光生载流子在半导体空间电荷层作用下分离
B.
光生载流子中的电子和空穴是成对出现的
C.
光生载流子不及时分离可以在任意能带复合
D.
平带下光生载流子无法在半导体自建电场作用下分离
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【判断题】光纤的本征吸收损耗在光学波长及其附近有两种基本的吸收方式。在短波长区,主要是紫外吸收的影响;在长波长区,红外吸收起主导作用。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】光伏效应对光的吸收主要为非本征吸收。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】雪崩光电二极管特性中量子效率只与初级光生载流子数目有关,不涉及倍增问题,故量子效率值总是( )。
A.
大于1
B.
略大于1
C.
等于1
D.
小于1
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【简答题】非晶硅薄膜的紫外-可见吸收光谱分为三个区:本征吸收区、带边(指数)吸收区和 吸收区。
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【简答题】推导:当入射强度为I0的光撞击透明材料(长度为l)的前表面时,在样品表面出射的透射束强度: It=I0(1-R)2e-βl 式中,R为反射率;β为材料本征吸收系数。样品前后表面外的介质是相同的。
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【判断题】杂志吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关,不涉及倍增问题,故量子效率值总是( )。
A.
小于1
B.
等于 1
C.
大于 1
D.
大于或等于 1
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【多选题】关于 耗尽层半导体的 光生载流子以下说法错误的是
A.
少数载流子寿命与深能级杂质浓度相关
B.
少数载流子寿命与浅能级杂质浓度相关
C.
半导体电导率与深能级杂质浓度有关
D.
半导体电导率与浅能级杂质浓度有关
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相关题目:
【单选题】以下哪项属于本征吸收损耗()。
A.
紫外吸收
B.
OH-离子吸收
C.
过渡金属离子吸收
D.
原子缺陷吸收
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【简答题】简述PN结光伏效应(分正偏、反偏、零偏三种情况)。
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【单选题】PN结上有内建电场。当PN结加上反向电压后,入射光主要在耗尽区被吸收,在耗尽区产生光生载流子(电子空穴对)。在耗尽区电场作用下,电子向N区漂移,空穴向P区漂移,产生光生电动势。在远离PN结的地方,因没有电场的作用,电子空穴作扩散运动,产生( )。因I层宽。加了反偏压后,空间电荷区加宽,绝大多数光生载流于部落在耗尽层内进行高效、高速漂移,产生( )。漂移电流远远大干扩散电流,所以PIN光电二极管...
A.
扩散电流、漂移电流
B.
扩散电流、扩散电流
C.
漂移电流、扩散电流
D.
漂移电流、漂移电流
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【多选题】关于本征吸收,以下说法正确的是?
A.
产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
B.
产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
C.
是电子从价带到导带的跃迁,产生电子-空穴对
D.
是电子从导带到价带的跃迁,并伴随发射光子能量
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【简答题】在PN结耗尽层,所有光生载流子几乎能够全部被收集,收集概率近似为 。
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【单选题】本征吸收损耗主要包括:()。
A.
红外吸收损耗、杂质吸收损耗
B.
紫外吸收损耗、杂质吸收损耗
C.
原子缺陷吸收损耗、红外吸收损耗
D.
紫外吸收损耗、红外吸收损耗
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【多选题】关于本征吸收中的直接跃迁和间接跃迁,以下说法正确的是?
A.
电子吸收能量从价带跃迁入导带产生光吸收时,必须遵守能量守恒和动量守恒
B.
把遵守选择定则的跃迁称为直接跃迁(或竖直跃迁)
C.
把不遵守选择定则的跃迁称为间接跃迁(或非竖直跃迁)
D.
直接跃迁只有电子和光子参与,没有声子参与
E.
间接跃迁是电子、光子和声子三者同时参与的过程
F.
选择定则是
G.
选择定则是
H.
直接跃迁是电子、光子和声子三者同时参与的过程
I.
间接跃迁只有电子和光子参与,没有声子参与
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【判断题】当光照射到半导体P-N结上,半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,就会产生光生载流子
A.
正确
B.
错误
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【简答题】光伏效应
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【简答题】【名词解释】本征吸收
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【判断题】光伏发电的主要原理是半导体的光伏效应。
A.
正确
B.
错误
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【多选题】关于 半导体中 光生载流子的分离说法错误的是
A.
光生载流子在半导体空间电荷层作用下分离
B.
光生载流子中的电子和空穴是成对出现的
C.
光生载流子不及时分离可以在任意能带复合
D.
平带下光生载流子无法在半导体自建电场作用下分离
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【判断题】光纤的本征吸收损耗在光学波长及其附近有两种基本的吸收方式。在短波长区,主要是紫外吸收的影响;在长波长区,红外吸收起主导作用。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】光伏效应对光的吸收主要为非本征吸收。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】雪崩光电二极管特性中量子效率只与初级光生载流子数目有关,不涉及倍增问题,故量子效率值总是( )。
A.
大于1
B.
略大于1
C.
等于1
D.
小于1
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【简答题】非晶硅薄膜的紫外-可见吸收光谱分为三个区:本征吸收区、带边(指数)吸收区和 吸收区。
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【简答题】推导:当入射强度为I0的光撞击透明材料(长度为l)的前表面时,在样品表面出射的透射束强度: It=I0(1-R)2e-βl 式中,R为反射率;β为材料本征吸收系数。样品前后表面外的介质是相同的。
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【判断题】杂志吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关,不涉及倍增问题,故量子效率值总是( )。
A.
小于1
B.
等于 1
C.
大于 1
D.
大于或等于 1
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【多选题】关于 耗尽层半导体的 光生载流子以下说法错误的是
A.
少数载流子寿命与深能级杂质浓度相关
B.
少数载流子寿命与浅能级杂质浓度相关
C.
半导体电导率与深能级杂质浓度有关
D.
半导体电导率与浅能级杂质浓度有关
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