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【判断题】

造成反常短沟道效应的原因是由于氧化扩散增强工艺,使得源漏区向沟道处发生了额外的杂质扩散。

A.
正确
B.
错误
题目标签：杂质扩散质扩散沟道效应
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参考答案：
参考解析：
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【简答题】什么是沟道效应？
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【多选题】如图所示，一高压晶闸管的P型区杂质扩散分为两步，第一次低浓度深扩散，第二次较高浓度，于是P型区的杂质分布为较高浓度区（P区）和较低浓度区（P-区），这样做的目的是（ ）。
A.
加速开通速度
B.
低浓度深扩散降低J1结和J2结前沿的浓度梯度，提高阻断电压
C.
高浓度杂质扩散提高注入效率，减小通态压降
D.
加速关断
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【简答题】例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
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【判断题】虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
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【判断题】有杂质原子参加的扩散，叫做杂质扩散
A.
正确
B.
错误
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【判断题】有限源扩散,扩散时间越长,杂质扩散越深。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】清洁 表面指 不存在任何污染的化学纯表面,即不存在吸附、催化反应或杂质扩散等物理、化学效应的表面。
A.
正确
B.
错误
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【多选题】下列哪些因素会使杂质扩散速率提高？
A.
横向扩散效应
B.
场助扩散效应
C.
衬底为重掺杂硅
D.
硅衬底缺陷密度高
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【简答题】[名词解释] 溶质扩散
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