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【判断题】
直拉单晶制备的硅片比区熔单晶制备的硅片含氧量更高。
A.
正确
B.
错误
题目标签：
含氧量
拉单晶
单晶
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参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】硅单晶晶体结构为（ ）。
A.
体心结构
B.
正四面体结构
C.
面心结构
D.
立方体结构
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【判断题】双晶探头的盲区比单晶探头的盲区大。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】要拉制30g，ρ=1~3Ω·cm的P型Ge单晶，所用的杂质为Ga-Ge合金，合金中P型Ge浓度为Cm=1017cm-3，原料为纯Ge，问需要多少克Ga-Ge合金？
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【简答题】简单晶格
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【多选题】固相法生长单晶技术包括哪些?
A.
多形体相变法
B.
应变退火法
C.
烧结法
D.
热纤丝法
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【单选题】单晶绒面呈( )形状。727
A.
三角形
B.
金字塔形
C.
圆形
D.
正方形
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【单选题】清洁单晶离子晶体表面是带（）
A.
负电荷
B.
正电荷
C.
吸附膜
D.
间隙质点
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【单选题】空气中含氧量大约为（）%。
A.
20
B.
21
C.
26
D.
27
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【单选题】空气中含氧量约______。
A.
18%
B.
29%
C.
21%
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【简答题】用浮区熔法生长单晶有何优点？
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