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【单选题】
设稳压管VDZ的稳定电压为6V,正向压降为0.7V;二极管VD1为硅二极管,正向压降为0.7V,反向击穿电压为100V。则电路的UO为______。【图片】
A.
0.7V
B.
5.3V
C.
6.3V
D.
6.7V
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题目标签:
硅二极管
击穿电压
反向击穿电压
参考答案:
参考解析:
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】触头间介质击穿电压是指触头间()
A.
电源电压
B.
电气试验时加在触头间的电压
C.
触头间产生电弧的最小电压
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【单选题】在一定温度下,均匀电场气隙的击穿电压是以下哪个参数的函数( )
A.
气体密度
B.
板间距离
C.
气体密度与板间距离的乘积
D.
气体压力
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【判断题】半导体二极管按材料分为硅二极管和锗二极管。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】反向工作电压UR是指二极管击穿时的电压值。反向击穿电压UBR:是指二极管在使用时所允许加的最大反向电压。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】与普通晶闸管一样,逆导晶闸管的反向击穿电压远高于晶闸管工作回路电源电压峰值。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】火花塞间隙越大,所需的击穿电压就越高。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】电路如图所示,已知二极管D是一个齐纳二极管,反向击穿电压是6V,电阻R=300Ω。 则 Us = 9V 时,ab之间的电压 Uab = ( 1 )V,流过电阻R的电流是( 2 )mA; Us = 7V 时,ab之间的电压 Uab = ( 3 )V; Us = 5V 时,ab之间的电压 Uab = ( 4 )V;
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【单选题】硅二极管的死区电压 V
A.
0.2
B.
0.5
C.
2
D.
5
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【判断题】棒-板间隙只要放置绝缘屏障就能提高气隙的击穿电压。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】硅二极管的正向压降比锗二极管的正向压降大
A.
正确
B.
错误
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