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【单选题】
少子寿命是指非平衡载流子浓度复合至初始的______所经历的时间。
A.
1/2
B.
1/e
C.
1/
D.
1/
题目标签:
平衡载流子
非平衡载流子
载流子浓度
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【单选题】直接复合时,小注入的P型半导体的非平衡载流子寿命 td 决定于 。
A.
B.
C.
其它
D.
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【判断题】非平衡载流子的净复合=复合-产生。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】区别半导体平衡状态和非平衡状态有何不同?什么叫非平衡载流子?什么叫非平衡载流子的稳定分布?
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【单选题】光照前半导体硅的电子浓度为 1.5x10 14 cm -3 ,空穴浓度1.5x10 6 cm -3 ,光照产生的非平衡载流子浓度为1.5x10 10 cm -3 ,则电子和空穴准费米能级的差为:
A.
0.12eV
B.
0.24eV
C.
0.36eV
D.
0.48eV
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【简答题】区别半导体平衡状态和非平衡状态有何不同?什么叫非平衡载流子?什么叫非平衡载流子的稳定分布?
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【简答题】掺施主浓度ND=1015cm-3的n型硅,由于光的照射产生了非平衡载流子∆n=∆p=1014cm-3。试计算这种情况下的准费米能级位置,并和原来的费米能级作比较。
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【多选题】关于非平衡载流子的说法,正确的有:
A.
一般情况,注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。
B.
小注入的情况下,非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。
C.
非平衡少数载流子起重要作用。
D.
非平衡多数载流子起重要作用。
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【简答题】用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上,被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子,其产生率为gp,非平衡空穴的寿命为τp,光脉冲宽度△t=3τp。
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【判断题】在一定温度下,光照在半导体材料中会产生非平衡载流子,光照稳定后,由于电子空穴对的产生率与复合率相等,所以称为热平衡状态,有统一的费米能级。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
A.
1/4;
B.
1/e;
C.
1/e2;
D.
1/2
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