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举一反三
【多选题】场效应管的类型有（）。
A.
结型场效应管
B.
绝缘栅型场效应管
C.
N沟道增强型MOS管
D.
P沟道增强型MOS管
E.
N沟道耗尽型MOS管
F.
P沟道耗尽型MOS管
【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
相关题目：
【多选题】UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ ） 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
【多选题】场效应管的类型有（）。
A.
结型场效应管
B.
绝缘栅型场效应管
C.
N沟道增强型MOS管
D.
P沟道增强型MOS管
E.
N沟道耗尽型MOS管
F.
P沟道耗尽型MOS管
【判断题】绝缘栅型场效应管的输入电流不为零。()
A.
正确
B.
错误
【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
【单选题】A．P沟道增强型管的转移特性 B．P沟道耗尽型管的转移特性 C．N沟道增强型管的转移特性 D．N沟道耗尽型管的转移特性
A.
题6图所示特性曲线是（）
B.
【单选题】场效应管本质上是一个( )
A.
电流控制电流源器件
B.
电流控制电压源器件
C.
电压控制电流源器件
【单选题】VGS=0V时，不能够工作在恒流区的场效应管是
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
【单选题】必须加栅极电压,漏极和源极才能导电的场效应管称为()
A.
增强型场效应管
B.
耗尽型场效应管
【多选题】栅源极间电压为0时,能够工作于恒流区的场效应管有
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
【单选题】下面转移特性对应耗尽型NMOS管的是_________。
A.
B.
C.
D.
【判断题】根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
A.
正确
B.
错误