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【判断题】
晶闸管是半控型器件,功率场效应管(Power MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是全控型器件
A.
正确
B.
错误
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题目标签:
场效应管
绝缘栅
双极型晶体管
参考答案:
参考解析:
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。( )
A.
正确
B.
错误
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【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
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【简答题】在场效应管直流电路模型中,绝缘栅场效应管工作在饱和区时的电流表达式是(),工作在非饱和区时的电流表达式是();结型场效应管工作在饱和区时的电流表达式是(),工作在非饱和区时的电流表达式是()。【图片】
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【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
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【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通,应()。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
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【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅,后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型,后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型,后者为 N 型
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【多选题】双极型晶体管集成电路的特点是()
A.
集成度高
B.
功耗低
C.
工作速度高
D.
驱动能力强
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【单选题】绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表()。
A.
集电极
B.
栅极
C.
发射极
D.
门极
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【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
正确
B.
错误
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