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【判断题】

场效应管是双极性半导体器件。

A.
正确
B.
错误
题目标签：场效应管极性半导体半导体器件
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参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【多选题】UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ ） 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
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【多选题】晶闸管是具有3个PN结、（）极的硅半导体器件。
A.
放大
B.
阴
C.
阳
D.
控制
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【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
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【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
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【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
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【单选题】和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。
A.
集成度低，存取周期快，位平均功耗大
B.
集成度低，存取周期慢，位平均功耗小
C.
集成度高，存取周期快，位平均功耗小
D.
集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
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【单选题】VGS=0V时，不能够工作在恒流区的场效应管是
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
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【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
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【单选题】必须加栅极电压,漏极和源极才能导电的场效应管称为()
A.
增强型场效应管
B.
耗尽型场效应管
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【简答题】当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
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