下载APP
【单选题】
在P侧，注入的非平衡少数载流子（）从导带向下跃迁与价带中的空穴复合，发射能量为Eg的光子。
A.
空穴
B.
电子
C.
离子
D.
分子
举报
题目标签：
向下跃迁
载流子
少数载流子
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】杂质半导体中多数载流子的浓度取决于
A.
温度
B.
杂质浓度
C.
电子空穴对数
查看完整题目与答案
【简答题】在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?
查看完整题目与答案
【单选题】N 型半导体的多数载流子是电子,因此它应()
A.
不带电
B.
不确定
C.
带负电
D.
带正电
查看完整题目与答案
【单选题】三极管基极的作用是( )载流子。
A.
发射
B.
输送控制
C.
收集
查看完整题目与答案
【多选题】半导体中的载流子散射概率,与温度成正比的是:
A.
电离杂质散射
B.
晶格振动散射
C.
声学波散射
D.
光学波散射
查看完整题目与答案
【简答题】N型半导体中的自由电子属于（ ）载流子。
查看完整题目与答案
【简答题】杂质半导体中的多数载流子是怎样形成的?
查看完整题目与答案
【判断题】NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】杂质型半导体的多数载流子的浓度取决于掺杂浓度。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【简答题】大量氢原子处于n=5的激发态，当它们向下跃迁时，
查看完整题目与答案
