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【判断题】

假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。

A.
正确
B.
错误
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题目标签：饱和电压阈值电压晶体管
参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【单选题】晶体管∶电视机
A.
老鼠∶尾巴
B.
标题∶导语
C.
题目∶论文
D.
芙蓉∶荷花
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【多选题】晶体管按结构分,有()类型。
A.
NPN
B.
PPN
C.
NNP
D.
PNP
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【单选题】滞回电压比较器有( )个阈值电压。
A.
0
B.
1
C.
2
D.
3
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【单选题】555 定时器构成的施密特触发器,当 5 脚接 Vco 时,两个阈值电压分别是 和 。
A.
Vco、1/2Vco
B.
Vcc、1/2Vcc
C.
1/3Vcc、2/3Vcc
D.
Vco、1/3Vco
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【单选题】当施密特触发器的输入信号超过阈值电压之后,其输出信号的幅值与输入信号的幅值的关系？
A.
成正比
B.
成反比
C.
无关
D.
D.
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【判断题】电压比较器都只有一个阈值电压。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】根据以下NMOS晶体管模型代码，如果衬底接地，源极电压VS=2V，由于受背栅效应影响，可以计算得到阈值电压约为.MODEL n08 NMOS VTO = 0.70 KP = 110U GAMMA = 0.4 LAMBDA = 0.04+ PHI = 0.7 MJ = 0.5 MJSW = 0.38 CGBO = 700P CGSO = 220P CGDO = 220P+ CJ = 770U CJS...
A.
0.8V
B.
1.0V
C.
1.2V
D.
条件不足，无法判断
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【单选题】晶体管有( )型。
A.
NNP
B.
NPP
C.
PNP
D.
PPN
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【单选题】下列（ ）不是二极管的主要参数 （晶体管）
A.
电流放大倍数
B.
最高反向工作电压
C.
反向漏电流
D.
死区电压
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【判断题】滞回比较器和窗口比较器的阈值电压数目相同。( )
A.
正确
B.
错误
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