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参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】以下对晶闸管描述错误的是:______
A.
晶闸管通常门极无法关断
B.
晶闸管擎住电流IL大于维持电流IH
C.
导通后的晶闸管特性类似于二极管
D.
在晶闸管上反向电压加上门极触发即可导通
【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
【单选题】软并网通过电流反馈对双向晶闸管导通角的控制，将冲击电流限制（ ）倍额定电流以内，从而得到一个比较平滑的并网过程。
A.
1.5~2
B.
4~5
C.
5~6
D.
6倍以上
相关题目：
【多选题】UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ ） 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
【单选题】以下对晶闸管描述错误的是:______
A.
晶闸管通常门极无法关断
B.
晶闸管擎住电流IL大于维持电流IH
C.
导通后的晶闸管特性类似于二极管
D.
在晶闸管上反向电压加上门极触发即可导通
【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
正确
B.
错误
【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
【单选题】三相全控桥接大电感负载时,晶闸管的导通角为
A.
小于90°
B.
90°
C.
大于 90°
D.
120 °
【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通，应()。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
【判断题】对于不可逆的调速系统，可以采用两组反并联晶闸管变流器来实现快速回馈制动
A.
正确
B.
错误
【单选题】普通晶闸管由中间P层引出的电极是( )。
A.
阳极
B.
门极
C.
阴极
D.
无法确定
【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
【单选题】VGS=0V时，不能够工作在恒流区的场效应管是
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
【判断题】晶闸管内部有2个PN结。
A.
正确
B.
错误
【单选题】软并网通过电流反馈对双向晶闸管导通角的控制，将冲击电流限制（ ）倍额定电流以内，从而得到一个比较平滑的并网过程。
A.
1.5~2
B.
4~5
C.
5~6
D.
6倍以上
【单选题】绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。
A.
集电极
B.
栅极
C.
发射极
D.
门极
【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
正确
B.
错误