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【单选题】
再结晶过程中需要形核,其形核机制与层错能有关,变形量大、层错能高可以是亚晶界合并形核,大变形量低层错能可以是亚晶界迁移形核,当变形量较小时可能发生晶界的弓出形核。
A.
正确
B.
错误
题目标签:
低层错能
结晶过程
晶界迁移
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【判断题】由扩散考虑,与大角度晶界迁移率相比,小角度晶界的迁移率较低。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】低层错能金属由于层错宽度大位错不容易束集而发生运动,所以冷变形后只能以再结晶方式软化,而不会出现回复软化
A.
正确
B.
错误
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【多选题】金属结晶过程是()。
A.
形核-长大过程
B.
弛豫过程
C.
相变过程
D.
由液态金属获得金属晶体的过程
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【简答题】金属结晶过程是一个() 和 ()的过程。
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【单选题】金属的结晶过程包含________和________。
A.
晶核不断形成/晶核长大
B.
晶粒/晶界
C.
晶界/亚晶界
D.
晶核/晶核长大
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【判断题】以界面能降低为晶粒长大驱动力时,晶界迁移总是向着晶界曲率中心方向。()
A.
正确
B.
错误
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【判断题】对于低层错能的金属而言,发生动态再结晶的倾向性大。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】材料的凝固过程即结晶过程。()
A.
正确
B.
错误
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【单选题】金属结晶过程中 。
A.
临界晶核半径越大,形核越易
B.
临界形核功越大,形核越易
C.
过冷度越大,形核越易
D.
均质形核比非均质形核容易
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【简答题】简要说明晶界迁移的驱动力和影响晶界迁移的主要因素。
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