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【简答题】

锗二极管的死区电压为()V,导通电压为()V;硅二极管的死区电压为()V,导通压降为()V.

题目标签：硅二极管二极管死区
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参考答案：
参考解析：
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举一反三

【单选题】死区间与相邻轨道电路的间隔不得小于（）m。
A.
5
B.
12
C.
18
D.
20
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【单选题】肾梗死区的坏死多为（）。
A.
液化性坏死
B.
凝固性坏死
C.
纤维素样坏死
D.
坏疽
E.
干酪样坏死
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【简答题】根据梗死区含血量的多少,将梗死分为 和 。
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【判断题】半导体二极管按材料分为硅二极管和锗二极管。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】二极管VD1的正向电阻为________________,反向电阻为_________________________。
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【判断题】pn结二极管是一种异质结二极管。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】发光二极管属于()。
A.
光致发光
B.
电致发光
C.
X射线致发光
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【单选题】硅二极管的死区电压 V
A.
0.2
B.
0.5
C.
2
D.
5
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【单选题】所示电路中, D 1 、 D 2 为硅二极管,导通压降为 0.7V 。 B 端接7 V , A 接 3V 时, V O 等于( )伏。
A.
7
B.
7.7
C.
3
D.
3.7
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【判断题】硅二极管的正向压降比锗二极管的正向压降大
A.
正确
B.
错误
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