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【简答题】

Grove 模型认为控制薄膜淀积速率的两个重要环节是: , 。

题目标签：薄膜淀积淀积重要环节

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参考答案：

参考解析：

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举一反三

【简答题】sio2的残留，二三氧化物及腐殖质淋溶及淀积的过程指的是

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【简答题】热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。

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【简答题】假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

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【简答题】二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。

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【多选题】在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

A.

均匀性

B.

表面平整度

C.

自由应力

D.

纯净度

E.

电容

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【简答题】采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？

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【单选题】治疗的重要环节是

A.

休息

B.

抬高患肢

C.

应用足量抗生素

D.

局部消炎、止痛

E.

具有传染性，应予以接触隔离

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【单选题】LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）

A.

反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大

B.

温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响

C.

淀积速率受气相质量输运控制

D.

淀积速率受表面化学反应控制

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【填空题】二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。

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【单选题】通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。

A.

热氧化

B.

物理气相淀积

C.

等离子淀积

D.

化学气相淀积

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