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【单选题】
有X、Y、Z、W、M五种短周期元素,其中X、Y、Z、W同周期,Z、M同主族;X+ 与M2—具有相同的电子层结构;离子半径:Z2—>W—;Y的单质晶体熔点高、硬度大,是一种重要的半导体材料。下列说法中,正确的是()
A.
X、M两种元素只能形成X2M型化合物
B.
由于W、Z、M元素的氢化物相对分子质量依次减小,所以其沸点依次降低
C.
元素Y、Z、W的单质晶体属于同种类型的晶体
D.
元素W和M的某些单质可作为水处理中的消毒剂
题目标签:
单质晶体
半导体材料
导体材料
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【单选题】可以用来制取半导体材料(如集成电路)的是( )
A.
二氧化硅
B.
粗硅
C.
高纯硅
D.
硅酸盐
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【单选题】当导体材料及长度确定之后,如果导体截面越小,则导体的电阻值(0)。
A.
不变
B.
越大 越小
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【单选题】砷化镓(化学式为GaAs)是一种重要的半导体材料.砷化镓中砷元素显-3价,则镓元素的化合价是( )
A.
-3
B.
0
C.
+1
D.
+3
查看完整题目与答案
【单选题】下列列举的材料中,哪种不是半导体材料 。
A.
Si
B.
压电陶瓷
C.
GaAs
D.
Ge
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【判断题】金属材料比半导体材料更适合制作电阻应变片
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】用来制作压阻式电阻传感器的半导体材料的压阻系数的影响因素不包括()。
A.
掺入杂物的浓度
B.
温度
C.
材料的体积
D.
材料的晶相
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【单选题】下面不是半导体材料的是
A.
硅
B.
锗
C.
磷
D.
金
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【判断题】霍尔元件是采用半导体材料制成的。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】在半导体材料中,其正确的说法是( )
A.
P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电
B.
N型半导体中由于多数载流子为电子,所以它负正电
C.
P型和N型半导体材料本身都不带电。
D.
以上说法都不正确
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【判断题】由同种半导体材料构成的PN结,称为同质结
A.
正确
B.
错误
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【判断题】因为半导体材料对温度很敏感,因此压阻式传感器的温度误差较大,需要有温度补偿。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】Ⅱ-Ⅵ化合物半导体材料,比如ZnO和CdS,属于 结构, 该结构具有 对称性。
查看完整题目与答案
【多选题】以下( )是宽禁带半导体材料的电力电子器件的特点。
A.
高的很多的耐受高电压的能力;
B.
低得多的通态电阻;
C.
更差的导热性能和热稳定性;
D.
更强的耐受高温能力。
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【多选题】常见的半导体材料有
A.
硅
B.
锗
C.
氧化物
D.
硫化物
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【单选题】下列半导体材料哪一种材料热敏性突出( )。
A.
本征半导体
B.
N 型半导体
C.
P 型半导体
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【单选题】利用半导体材料的电阻随温度变化的特性制成的是()。
A.
热电阻传感器
B.
热敏电阻传感器
C.
热电偶传感器
D.
热敏电偶传感器
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【多选题】常用的半导体材料有?
A.
硅
B.
碳
C.
锗
D.
磷
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【单选题】在电子器件中,使用最多的半导体材料是硅,其原子序号是( )
A.
4
B.
14
C.
24
D.
32
查看完整题目与答案
【单选题】关于半导体材料的电导率说法不正确的是( )
A.
是电阻率的倒数
B.
与半导体材料有关
C.
与迁移率相关
D.
是载流子浓度的函数
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【多选题】对常用的半导体材料硅和锗的描述正确的是()。( 1 分)
A.
都是四价元素
B.
最外层轨道上有四个价电子
C.
它们的晶体是靠共价键作用联系在一起的
D.
它们的晶体是靠离子键作用联系在一起的
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A.
不变
B.
越大 越小
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A.
-3
B.
0
C.
+1
D.
+3
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A.
Si
B.
压电陶瓷
C.
GaAs
D.
Ge
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】用来制作压阻式电阻传感器的半导体材料的压阻系数的影响因素不包括()。
A.
掺入杂物的浓度
B.
温度
C.
材料的体积
D.
材料的晶相
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A.
硅
B.
锗
C.
磷
D.
金
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】在半导体材料中,其正确的说法是( )
A.
P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电
B.
N型半导体中由于多数载流子为电子,所以它负正电
C.
P型和N型半导体材料本身都不带电。
D.
以上说法都不正确
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【判断题】由同种半导体材料构成的PN结,称为同质结
A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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【多选题】以下( )是宽禁带半导体材料的电力电子器件的特点。
A.
高的很多的耐受高电压的能力;
B.
低得多的通态电阻;
C.
更差的导热性能和热稳定性;
D.
更强的耐受高温能力。
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【多选题】常见的半导体材料有
A.
硅
B.
锗
C.
氧化物
D.
硫化物
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【单选题】下列半导体材料哪一种材料热敏性突出( )。
A.
本征半导体
B.
N 型半导体
C.
P 型半导体
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【单选题】利用半导体材料的电阻随温度变化的特性制成的是()。
A.
热电阻传感器
B.
热敏电阻传感器
C.
热电偶传感器
D.
热敏电偶传感器
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A.
硅
B.
碳
C.
锗
D.
磷
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A.
4
B.
14
C.
24
D.
32
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A.
是电阻率的倒数
B.
与半导体材料有关
C.
与迁移率相关
D.
是载流子浓度的函数
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【多选题】对常用的半导体材料硅和锗的描述正确的是()。( 1 分)
A.
都是四价元素
B.
最外层轨道上有四个价电子
C.
它们的晶体是靠共价键作用联系在一起的
D.
它们的晶体是靠离子键作用联系在一起的
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