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【简答题】
某光电导的弛豫时间为3×10-3s,当光生载流子寿命为10-6s时,问该光电导材料有无陷阱,若有,则求出载流子在陷阱上的时间?
题目标签:
光生载流子
弛豫时间
载流子
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【单选题】杂质半导体中多数载流子的浓度取决于
A.
温度
B.
杂质浓度
C.
电子空穴对数
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【简答题】在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?
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【简答题】广告的弛豫时间
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【简答题】在PN结耗尽层,所有光生载流子几乎能够全部被收集,收集概率近似为 。
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【简答题】纵向弛豫时间
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【单选题】T\r\n2\r\n弛豫时间指
A.
横向磁化矢量完全衰减所需要的时间
B.
横向磁化矢量从最大值达到63%所需要的时间
C.
横向磁化矢量从最大值达到50%所需要的时间
D.
横向磁化矢量从最大值达到37%所需要的时间
E.
横向磁化矢量完全散相所需要的时间
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【判断题】当光照射到半导体P-N结上,半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,就会产生光生载流子
A.
正确
B.
错误
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【简答题】半导体中有两种载流子,带正电的 和带负电的 。
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【单选题】N 型半导体的多数载流子是电子,因此它应()
A.
不带电
B.
不确定
C.
带负电
D.
带正电
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【单选题】三极管基极的作用是( )载流子。
A.
发射
B.
输送控制
C.
收集
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【多选题】半导体中的载流子散射概率,与温度成正比的是:
A.
电离杂质散射
B.
晶格振动散射
C.
声学波散射
D.
光学波散射
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【单选题】横向弛豫时间是指
A.
M xy 恢复到 M 0 所需时间
B.
M xy 恢复到 0 所需时间
C.
M xy 恢复到 M 0 的 63% 所需时间
D.
M xy 恢复到 M 0 的 37% 所需时间
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【简答题】N型半导体中的自由电子属于( )载流子。
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【简答题】杂质半导体中的多数载流子是怎样形成的?
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【简答题】在 P 型半导体中,多数载流子是 ,而 N 型半导体中,多数载流子是 。
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【判断题】NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种
A.
正确
B.
错误
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【判断题】N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】雪崩光电二极管特性中量子效率只与初级光生载流子数目有关,不涉及倍增问题,故量子效率值总是( )。
A.
大于1
B.
略大于1
C.
等于1
D.
小于1
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【多选题】关于 耗尽层半导体的 光生载流子以下说法错误的是
A.
少数载流子寿命与深能级杂质浓度相关
B.
少数载流子寿命与浅能级杂质浓度相关
C.
半导体电导率与深能级杂质浓度有关
D.
半导体电导率与浅能级杂质浓度有关
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【判断题】杂质型半导体的多数载流子的浓度取决于掺杂浓度。
A.
正确
B.
错误
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B.
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A.
横向磁化矢量完全衰减所需要的时间
B.
横向磁化矢量从最大值达到63%所需要的时间
C.
横向磁化矢量从最大值达到50%所需要的时间
D.
横向磁化矢量从最大值达到37%所需要的时间
E.
横向磁化矢量完全散相所需要的时间
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A.
正确
B.
错误
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A.
不带电
B.
不确定
C.
带负电
D.
带正电
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A.
发射
B.
输送控制
C.
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A.
电离杂质散射
B.
晶格振动散射
C.
声学波散射
D.
光学波散射
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A.
M xy 恢复到 M 0 所需时间
B.
M xy 恢复到 0 所需时间
C.
M xy 恢复到 M 0 的 63% 所需时间
D.
M xy 恢复到 M 0 的 37% 所需时间
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】雪崩光电二极管特性中量子效率只与初级光生载流子数目有关,不涉及倍增问题,故量子效率值总是( )。
A.
大于1
B.
略大于1
C.
等于1
D.
小于1
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【多选题】关于 耗尽层半导体的 光生载流子以下说法错误的是
A.
少数载流子寿命与深能级杂质浓度相关
B.
少数载流子寿命与浅能级杂质浓度相关
C.
半导体电导率与深能级杂质浓度有关
D.
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A.
正确
B.
错误
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