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【单选题】
题3-3-5 集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是： 。
A.
温度
B.
厚度
C.
硅晶向
D.
掺杂
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】2、集成电路的按导电类型不同分类（ ）
A.
小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路和超规模集成电路
B.
以上都不是
C.
模拟集成电路和数字集成电路两大类
D.
双极型集成电路和单极型集成电路
【多选题】关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
A.
生长非常薄（ nm） 的栅氧化层时， 氧化速率 服从 线性规律
B.
温度升高氧化速率迅速增加
C.
（ 111 ）硅比（ 100 ）硅氧化得快
D.
有杂质（如 Na 、 P 等）存在，氧化速率降低
E.
生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F.
生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
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A.
小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路和超规模集成电路
B.
以上都不是
C.
模拟集成电路和数字集成电路两大类
D.
双极型集成电路和单极型集成电路
【判断题】ASIC是专用集成电路的缩写。()
A.
正确
B.
错误
【判断题】影响热氧化速率中，晶向是最重要的。
A.
正确
B.
错误
【单选题】玻璃纤维的制造工艺有()
A.
坩埚法拉丝和池窑漏板法
B.
气相法
C.
有机纤维法
【单选题】第九代Intel酷睿CPU的制造工艺是()。
A.
14nm
B.
32nm
C.
130nm
D.
45nm
【多选题】关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
A.
生长非常薄（ nm） 的栅氧化层时， 氧化速率 服从 线性规律
B.
温度升高氧化速率迅速增加
C.
（ 111 ）硅比（ 100 ）硅氧化得快
D.
有杂质（如 Na 、 P 等）存在，氧化速率降低
E.
生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F.
生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
【单选题】弹簧制造工艺中最终热处理是( )。
A.
淬火+高温回火
B.
淬火+中温回火
C.
淬火+低温回火
【多选题】电子产品制造工艺又称为什么？
A.
整机制造工艺
B.
元器件制造工艺
C.
电子组装工艺
D.
印制电路板制造工艺
【多选题】影响食品中油脂氧化速率的因素有( )
A.
脂肪酸的组成
B.
温度
C.
氧浓度。
D.
水分
【单选题】在线性阶段，(111)晶向的氧化速率将比(100)晶向稍慢。
A.
正确
B.
错误
【判断题】集成电路中的特征尺寸指的是集成电路设计中所允许的最宽线条的宽度。
A.
正确
B.
错误