【简答题】
图3-10(a)所示为一种测pn结结深xj的方法.在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导体区.p区与n区的交界面叫pn结,pn结距表面的深度(即p区厚度)xj叫结深.在半导体工艺上需要测定结深,测量的方法是先通过磨角、染色,使p区和n区的分界线清楚地显示出来,然后盖上半反射膜,在它与硅片之间形成尖劈形空气薄膜.用单色光垂直照射时,可以观察到空气薄膜的等厚干涉条纹.数出p区空气薄膜的条纹数目△k,即可求出结深
xj=△k(λ/2).
由于光在金属或半导体表面反射时相位变化比较复杂,用本方法测量结深xj没有考虑此相位突变,因此测量结果不太精确.更精确的测量方法见图3-10(b),半反射膜不是像在图3-10(a)中那样紧贴在p区上表面,而是一端稍微往上翘一点,观察到的干涉条纹如图3-10(b)下方所示.试说明:
参考答案:
参考解析:
举一反三