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【单选题】
已知六氟化硫分子呈正八面体，具有很好的绝缘性，即使在高电压下熔融也不导电，在电器行业有着广泛用途，但其沸点较低，逸散到空气中会引起温室效应。下列有关SF6的推测正确的是
A.
SF6易燃烧生成SO2
B.
SF6形成的晶体是原子晶体
C.
SF6晶体融化时不需破坏化学键
D.
SF6中各原子均达到8电子稳定结构
参考答案：
参考解析：
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举一反三
【单选题】已知[Co(NH 3 ) 6 ] 3+ 呈正八面体结构，若其中有两个NH 3 分子分别被Cl - 和H 2 O取代，所形成的[Co(NH 3 ) 2 Cl 2 (H 2 O) 2 ] 3+ 的几何异构体种数有(不考虑光学异构)几种( )
A.
3种
B.
4种
C.
5种
D.
6种
【多选题】六氟化硫(SF6)断路器是利用SF6气体作灭弧和绝缘介质的断路器，它的优点有（）。
A.
无色、无味、无毒且不易燃烧
B.
含碳(C)元素，具有优秀的灭弧能力
C.
不含氧(O)元素，不存在触头氧化问题
D.
具有优良的电绝缘性能
【单选题】220kV GIS间隔安装时，充入六氟化硫气体至（ ）额定工作压力。（基建安质〔2015〕42号《国网基建部关于应用〈变电站工程主要电气设备安装质量工艺关键环节管控记录卡〉的通知》附件十三）
A.
高于
B.
略高于
C.
略低于
D.
低于
【单选题】六氟化硫电气设备室应采用机械通风，室内空气不允许再循环，排风口应设在室内下部和上部。通风设备应满足事故时的通风换气次数每小时不少于（）次。
A.
8
B.
6
C.
5
D.
4
【单选题】一个正八面体两个相对的顶点分别为A和B，一个点从A出发，沿八面体的棱移动到B位置，其中任何顶点最多到达1次，且全程必须走过所有8个面的至少1条边，问有多少种不同的走法?
A.
8
B.
16
C.
24
D.
32
【单选题】六氟化硫的电弧分解产物中的部分固体产物，若沉积在环氧树脂等固体绝缘材料表面，在六氟化硫气体中允许微水含量的作用下，可（）。
A.
大为提高其沿面闪络电压
B.
大为降低其沿面闪络电压
C.
大为提高吸附能力
D.
大为提高绝缘电阻
相关题目：
【单选题】下列配离子中，不是正八面体构型的是（ ）。
A.
[Fe(CN) ]
B.
[CrCl (NH ) ]
C.
[CoCl (en) ]
D.
[Zn(CN) ]
【多选题】六氟化硫(SF6)断路器是利用SF6气体作灭弧和绝缘介质的断路器，它的优点有（）。
A.
无色、无味、无毒且不易燃烧
B.
含碳(C)元素，具有优秀的灭弧能力
C.
不含氧(O)元素，不存在触头氧化问题
D.
具有优良的电绝缘性能
【单选题】220kV GIS间隔安装时，充入六氟化硫气体至（ ）额定工作压力。（基建安质〔2015〕42号《国网基建部关于应用〈变电站工程主要电气设备安装质量工艺关键环节管控记录卡〉的通知》附件十三）
A.
高于
B.
略高于
C.
略低于
D.
低于
【多选题】六氟化硫(SF6)是一种()的惰性气体，化学性能稳定，有优良的灭弧和绝缘性能。
A.
无色
B.
无嗅
C.
比重比空气小
D.
无毒
E.
不可燃
【单选题】下列配合物的几何构型偏离正八面体最大的是（）
A.
A
B.
B
C.
C
D.
D
【判断题】六氟化硫(SF6)断路器具有操作噪声小，寿命长的优点。( )
A.
正确
B.
错误
【单选题】电缆与六氟化硫全封闭电器直接相连时，应采用( )。
A.
封闭式终端
B.
半封闭式终端
C.
开放式终端
D.
半开放式终端
【判断题】Fcc和bcc结构中的八面体间隙均为正八面体。
A.
正确
B.
错误
【单选题】温室效应( )。
A.
是正常的自然现象
B.
是人类活动导致的不正常现象
C.
对人类有危害，应该消除
D.
B和C
【单选题】六氟化硫断路器和操动机构在联合动作前，断路器必须充有（）压力的六氟化硫气体
A.
额定
B.
少于额定
C.
适度超过额定
D.
多于额定
【单选题】六氟化硫电气设备室应采用机械通风，室内空气不允许再循环，排风口应设在室内下部和上部。通风设备应满足事故时的通风换气次数每小时不少于（）次。
A.
8
B.
6
C.
5
D.
4
【单选题】一个正八面体两个相对的顶点分别为A和B，一个点从A出发，沿八面体的棱移动到B位置，其中任何顶点最多到达1次，且全程必须走过所有8个面的至少1条边，问有多少种不同的走法?
A.
8
B.
16
C.
24
D.
32
【判断题】六氟化硫气体，具有优越的绝缘和灭弧性能。
A.
正确
B.
错误
【单选题】与温室效应有关的气体是
A.
一氧化碳
B.
二氧化碳
C.
二氧化硫
D.
甲烷
【单选题】六氟化硫的电弧分解产物中的部分固体产物，若沉积在环氧树脂等固体绝缘材料表面，在六氟化硫气体中允许微水含量的作用下，可（）。
A.
大为提高其沿面闪络电压
B.
大为降低其沿面闪络电压
C.
大为提高吸附能力
D.
大为提高绝缘电阻