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【单选题】
薄膜淀积时,衬底不要求是单晶的。
A.
正确
B.
错误
题目标签:
薄膜淀积
淀积
衬底
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【单选题】NMOS器件的衬底是()型半导体。
A.
N型
B.
P型
C.
本征型
D.
耗尽型
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【简答题】sio2的残留,二三氧化物及腐殖质淋溶及淀积的过程指的是
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【简答题】热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。
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【单选题】道路交通标志的衬底色不会是()。
A.
绿色
B.
紫色
C.
白色
D.
蓝色
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【简答题】假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散,从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
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【单选题】气相外延制备n+/p-Si时,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的()
A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯
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【多选题】在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有()。
A.
均匀性
B.
表面平整度
C.
自由应力
D.
纯净度
E.
电容
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【简答题】采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜?这层膜的优点是什么?
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【填空题】二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
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【单选题】通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为()。
A.
热氧化
B.
物理气相淀积
C.
等离子淀积
D.
化学气相淀积
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