由于O₂在SiO₂中的扩散率远（）于Si 在SiO₂中的扩散率，所以氧化反应是由O₂穿过SiO₂层，在（）界面与Si原子反应。相同温度下，湿氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因为在SiO₂中，H₂O比O₂有更（）的扩散率和溶解度。由于N₂和Si在Si₃N₄中的扩散率都很（），所以很难在Si衬底上热生长Si₃N₄。通常在Si衬底上用（）法沉积Si₃N₄薄膜。