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举一反三
【单选题】T7 某 TTL 反相器的主要参数为 I IH = 20μA ; I IL = 1.4 m A ; I OH = 400μA ; I OL = 14 m A ,带同样的门数( )。
A.
20
B.
200
C.
10
D.
100
【单选题】在反相器电路中，装上加速电容器的目的是为了（）。
A.
确保晶体三极管可靠截止
B.
确保晶体三极管可靠饱和
C.
提高开关速度、改善输出波形
D.
确保晶体三极管可靠截止或饱和
相关题目：
【判断题】当输入端悬空时，反相器的输出电位不确定。
A.
正确
B.
错误
【判断题】结型场效应管均为耗尽型。
A.
正确
B.
错误
【单选题】共阳极LED数码管加反相器驱动时显示字符“6的”段码是()。
A.
A06H
B.
7DH
C.
82H
D.
FAH
【单选题】反相器的电压放大倍数为
A.
1
B.
一1
C.
无穷大
D.
0
【单选题】下列几种逻辑门中，能用作反相器的是（）
A.
与门
B.
或门
C.
与非门
【判断题】反相器执行的是或非逻辑运算。
A.
正确
B.
错误
【判断题】反相器的阈值电压是指输出电压。()
A.
正确
B.
错误
【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
A.
正确
B.
错误
【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻不会明显变小。（ ）
A.
正确
B.
错误
【单选题】场效应管按性能分为耗尽型和（）。
A.
绝缘栅型
B.
耗尽型
C.
增强型
【单选题】用三态输出反相器不能够实现的是
A.
数据双向传输
B.
数据单向传输
C.
接成总线结构
D.
存储器
【单选题】CMOS反相器是由NMOS管和PMOS管组成的互补电路。
A.
正确
B.
错误
【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
A.
正确
B.
错误
【判断题】三极管反相器饱和越深，工作速度越慢。（ ）
A.
正确
B.
错误
【单选题】对于耗尽型MOSFET，工作在恒流区时，VGS_________
A.
>0
B.
<0
C.
=VDD
D.
任意
【单选题】T7 某 TTL 反相器的主要参数为 I IH = 20μA ; I IL = 1.4 m A ; I OH = 400μA ; I OL = 14 m A ,带同样的门数( )。
A.
20
B.
200
C.
10
D.
100
【单选题】在反相器电路中，装上加速电容器的目的是为了（）。
A.
确保晶体三极管可靠截止
B.
确保晶体三极管可靠饱和
C.
提高开关速度、改善输出波形
D.
确保晶体三极管可靠截止或饱和