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"位错源"相关考试题目
1.
一个多晶体的晶粒直径为50μm，在晶粒中部有位错源，若在晶界萌生位错所需的应力约为G/10，问要多大的外力才能使晶界萌生位错?位错塞积群中位错很多时，可以假设塞积群长度和位错源到领头位错的距离相同。位错的柏氏矢量b=0.3nm。
2.
F-R位错源弯曲成半圆时,所需要的切应力最小。( )
3.
判断(2分) 位错源只有Frank-Read这一种类型( )
4.
位错源只有Frank-Read这一种类型
5.
位错源只有Frank－Read这一种类型。()
6.
位错的增殖机制有Frank-Read位错源增殖和双交滑移增殖等。
7.
F-R位错源是材料中唯一的位错来源。
8.
F-R位错源是材料中唯一的位错来源。
9.
有两个被钉扎住的刃型位错A-B和C-D，它们的长度x相等，且具有相同的b，而b的大小和方向相同(图3-21)。每个位错都可看作F-R位错源。试分析在其增殖过程中二者间的交互作用。若能形成一个大的位错源，使其开动的τc多大若两位错b相反，情况又如何？ 有两个被钉扎住的刃型位错A-B和C-D，它们的长度x相等，且具有相同的b，而b的大小和方向相同(图3-21)。每个位错都可看作F-R位错源。试分析在其...
10.
F-R位错源是材料中唯一的位错来源。
11.
F－R位错源是材料中唯一的位错来源。()
12.
F-R位错源是材料中唯一的位错来源。
13.
有两个被钉扎住的刃型位错AB和CD，它们的长度x相等，且具有相同的b，而b的大小和方向相同(图2-5)。每个位错都可看做F-R位错源。试分析在其增殖过程中二者间的交互作用。若能形成一个大的位错源，使其开动的τc需多大?若两位错b相反，情况又如何?
14.
F-R位错源是材料中唯一的位错来源。
15.
某滑移面上一个位错源开动释放出的位错在晶界处形成位错塞积群对该位错源的开动有何影响，为什么？
16.
通过位错的一端或两端被钉扎在滑移面上的一段位错线不断产生新的位错环，使位错不断增殖，称为弗兰克-瑞德位错源，也是位错增殖的唯一方式。
