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"锗半导体"相关考试题目
1.
少量硼元素掺入锗半导体，能够形成N型半导体。
2.
对于硅锗半导体，若其体内某处的电场从1×105V/cm降低至1×103V/cm，则其电子迁移率将（）
3.
在纯净的锗半导体中掺入硼元素，就形成了（）半导体。
4.
一块本征锗半导体，掺入三价受主杂质硼，浓度为1.5×1015cm-3，试分别求出T=300K(27℃)、400K(127℃)时自由电子和空穴热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。
5.
单向晶闸管内部是一个三层三端的锗半导体器件。()
6.
通常情况下,硅、锗半导体呈金刚石型结构;III-V族化合物,如GaAs,呈纤锌矿型结构。( )
7.
硼元素掺入锗半导体，能够形成N型半导体。
8.
对于掺杂浓度较高的硅、锗半导体，温度很低时，__________散射起主要作用。
9.
1883年第一块太阳电池由ChArlesFritts制备成功ChArles用锗半导体上覆上一层极薄的金层形成半导体金属结，器件只有（ ）的效率。
10.
为什么锗半导体材料最先得到应用，而现在的半导体材料却大都采用硅半导体？
11.
该三极管是 ( 硅,锗 )半导体材料。
12.
在温度相同的情况下,锗半导体比硅半导体载流子浓度要高。( )
13.
硅和锗半导体材料都是晶体结构。
14.
PNP型晶体三极管就是锗半导体三极管。( )
15.
杂质半导体费米能级处于温度较低的前三区时,温度、杂质浓度一定时,由砷化镓换为锗半导体,电离百分数如何变化?
16.
对于硅锗半导体，若其体内某处的电场从 V/cm降低至 V/cm，则其电子迁移率将( )。
17.
一块本征锗半导体，掺入三价受主杂质硼，浓度为1．5×1015cm-3，试分别求出T=300 K(27℃)、400 K(127℃)时自由电子和空穴热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。
18.
硼元素掺入锗半导体，能够形成_____型半导体？
