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"长波限"相关考试题目
1.
一般情况下,杂质吸收的长波限总要大于本征吸收的长波长
2.
光电发射材料K2CsSb射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为（）
3.
半导体材料砷化镓GaAs的本征吸收长波限为873nm，则GaAs的禁带宽度为（ ）
4.
光电倍增管的短波限和长波限的决定因素有（）
5.
某半导体光电器件的长波限为13um，其杂质电离能ΔEi为（）
6.
光电倍增管的短波限与长波限主要由光电阴极材料和窗口材料决定。
7.
杂质吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。
8.
已知本征硅材料的禁带宽度Eg=1.2eV,该半导体材料的本征吸收长波限为( )。
9.
光电发射材料的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值为（）
10.
光电发射材料的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为（）
11.
硒化镉（CdSe）材料的禁带宽度是1.8eV，用它制作的光敏电阻的长波限为（）
12.
与长波限有关的选项是：
13.
若某半导体光电器件的长波限为13μm,则其必为杂质半导体器件。其杂质电离能 E为( )
14.
已知本征硅材料的禁带宽度Eg=1.2 eV,求该半导体材料的本征吸收长波限。
15.
掺杂半导体的长波限大于本征半导体的长波限
16.
若金属溢出功为W，则长波限为1.24/W（nm）。
17.
已知本征硅材料的禁带宽度，半导体材料的本征吸收长波限为（）
18.
光电发射材料【图片】的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值为（）
19.
禁带宽度为0.89eV的光电材料,其本征吸收的长波限为( )
20.
光电倍增管的短波限和长波限由什么因素决定？（）
21.
半导体的禁带宽度愈窄，长波限愈长。
22.
某光电发射材料的光电发射长波限为680nm,试求该光电发射材料的光电发射阈值。
23.
同一类材料掺杂半导体吸收光的长波限比本征半导体吸收光的长波限长
24.
光电倍增管长波限的决定因素是()
25.
本征光电导器件的长波限可以达到130um。
26.
杂志吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。
