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"位错增殖"相关考试题目
1.
位错增殖
2.
关于位错增殖正确的说法是()
3.
只有位错运动受到阻碍时,才可能导致位错增殖,否则一个位错滑移出晶体后,位错密度将减少。
4.
最有效的位错增殖机制为( )。
5.
试描述位错增殖的双交滑移机制。如果进行双交滑移的那段螺型位错长度为100nm,而位错的伯氏矢量为0.2nm,试求实现位错增殖所必需的剪应力(G=40GPa)。
6.
[名词解释] 位错增殖
7.
位错增殖机制是
8.
F-R位错增殖机制是材料中唯一的位错增殖机制。
9.
画图并叙述形变过程中位错增殖的机制。
10.
位错增殖
11.
位错增殖机制可以使晶体中的位错密度提高数个数量级。()
12.
位错增殖理论可用于解释()
13.
位错增殖
14.
位错增殖
15.
通过位错的一端或两端被钉扎在滑移面上的一段位错线不断产生新的位错环,使位错不断增殖,称为弗兰克-瑞德位错源,也是位错增殖的唯一方式。
16.
画图说明弗兰克--瑞德源的位错增殖机制。
17.
使位错增殖的 F-R 源起动所需要的切应力为( )