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"寄生电容"相关考试题目
1.
在设备中为防止静电或电场的干扰,防止寄生电容耦合,通常采用的( )
2.
扼流线圈在制作时应满足以下要求： 1）绕制在线圈磁芯上的导线要相互（），以保证在瞬时过电压作用下线圈的匝间不发生击穿短路。 2）当线圈流过瞬时大电流时，磁芯不要出现（）。 3）线圈中的磁芯应与线圈（），以防止在瞬时过电压作用下两者之间发生击穿。 4）线圈应尽可能绕制（），这样做可减小线圈的寄生电容，增强线圈对瞬时过电压的而授能力。
3.
减小分布和寄生电容的影响一般可以采取的措施有（）和电缆驱动技术。
4.
绕线电感的寄生电容来自于绕线之间的电势差。
5.
减小分布和寄生电容的影响一般可以采取的措施有采取静电屏蔽措施和（）。
6.
分布和寄生电容的存在对电容传感器影响是()、使传感器电容变的不稳定，易随外界因素的变化而变化。
7.
缩小传感器至测量线路前置极的距离有利于减小电容式传感器寄生电容的影响。
8.
集成NPN晶体管中的寄生电容有哪几种？
9.
在设备中为防止静电或电场的干扰,防止寄生电容耦合,通常采用的( )
10.
实际工作时，对GIS内电压互感器进行的比值差和相位差试验时，由于GIS的结构特点，罐体内三相母线间及母线对罐体外壳间存在寄生电容，罐体外升压点之罐体内被试电压互感器之间的回路阻抗(____)，常规升压变压器无法满足对被试电压互感器升压要求。
11.
电桥型测量电路另两个臂是紧耦合电感臂的电桥具有较高的灵敏度和稳定性,且寄生电容影响极小、大大简化了电桥的屏蔽和接地,适合于 电源下工作。
12.
寄生电容与传感器电容相并联，影响传感器灵敏度
13.
分布和寄生电容的存在对电容传感器影响是改变传感器总的电容量、使传感器电容变的不稳定，易随()而变化。
14.
减小分布和寄生电容的影响一般可以采取的措施有采取静电屏蔽措施和（）。
15.
消除寄生电容的方法可采用（）。
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PN结的寄生电容有几种，形成机理，对PN结的工作特性及使用的影响？
17.
高频噪声通过变压器主要是靠初、次级线圈的互感耦合，而不是靠初、次级间寄生电容耦合。
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、分布和寄生电容的存在对电容传感器影响是（）、使传感器电容变的不稳定，易随外界因素的变化而变化。
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分布和寄生电容的存在对电容传感器影响是改变传感器总的电容量、使传感器电容变的（），易随外界因素的变化而变化。
20.
驱动电缆技术可以降低电容传感器的寄生电容影响。( )
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分布和寄生电容的存在对电容传感器影响是改变传感器总的电容量、使传感器电容变的（），易随外界因素的变化而变化。
22.
电容式传感器减小和消除寄生电容的常用方法是（）
23.
电容式传感器主要缺点有寄生电容影响较大、当电容式传感器用于变间隙原理进行测量时具有（）。
24.
压敏电阻在保护性能上的主要缺点是其自身的寄生电容较小，因此压敏电阻难以直接在高频电子设备的保护中得到应用。()
25.
寄生电容与电容传感器相关联影响传感器的灵敏度，它的变化为虚假信号影响传感器的精度。（ ）
26.
为克服电容式传感器的边缘效应，可采用______方法和______结构。为消灭寄生电容的影响可采用______、______以及采用______方法。
27.
在设备中为防止静电和电场的干扰，防止寄生电容耦合，通常采用（）。
28.
放电管在不导通状态下，其极间的绝缘电阻非常（）、放电管的极间（寄生）电容非常（）这是放电管的一个显著优点。
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MOS管中相对最大的寄生电容是 。
30.
时钟电路的作用是什么?为减少寄生电容,保证电路可靠工作,在安装晶振时有什么要求?
31.
、分布和寄生电容的存在对电容传感器影响是（）、使传感器电容变的不稳定，易随外界因素的变化而变化。
32.
分布和寄生电容的存在对电容传感器的影响和措施有哪些？
33.
放大电路的寄生电容会使放大电路的输出端到输入端产生反馈通路，易使放大电路产生振荡。()
34.
为克服电容式传感器的边缘效应，可采用（）方法和（） 结构。为消灭寄生电容的影响可采用（）、（）以及采用（）方法。
35.
CMOS动态逻辑门的操作取决于暂时储存在寄生节点电容内的电荷,而大部分器件寄生电容是由器件结构中三维分布的电荷-电压关系引起的,根据物理来源,MOS寄生电容可以分为 和 两类。
36.
在设备中为防止静电或电场的干扰，防止寄生电容耦合，通常采用（）
37.
题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。
38.
MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？
39.
抑制电磁干扰的主要措施是减少两个电路间的寄生电容。（ ）
40.
为了避免脉冲分压器输出端寄生电容引起的波形失真,应在脉冲分压器电路中加入( )。
41.
题5-7-4：不会导致互连线之间的寄生电容增大的是。
42.
晶体管的寄生电容对低频特性无影响，但会使高频特性恶化。
43.
一个CMOS反相器它所驱动的外部负载电容远小于它自身的寄生电容（即只考虑反相器自身的寄生负载电容），当维持两个晶体管的沟道长度不变，把它们的沟道宽度（W值）同时放大2倍，那么它的传播延时将近似（）
44.
减小分布和寄生电容的影响一般可以采取的措施有采取静电屏蔽措施和()。
45.
考虑寄生电容CGD起的是___作用，CGD越大，最高振荡频率fM越___（ ）。
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在设备中为防止静电和电场的干扰,防止寄生电容耦合,通常采有用( )。
47.
如下与互连寄生电容无关的是 。
48.
无引线或 ,减少了寄生电容和寄生电感,从而改善了 高频特性
49.
长距离接线时,由于接线寄生电容所产生的充电电流会引起高响应电流限制功能低下,变频器输出侧连接的设备可能会发生误动作或异常,三菱变频器接线总长请不要超过( )。
50.
题5-7-3：如下与互连寄生电容无关的是。
