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"开关速度"相关考试题目
1.
以下器件中开关速度较快的器件是()。
2.
在反相器中，加速电容为什么能提高晶体管的开关速度？
3.
开关速度最快的MOS反相器是 （）
4.
在STTL集成电路中，采取了哪些措施来提高电路的开关速度?
5.
IGBT的开关速度低于功率MOSFET和GTR。
6.
调节程控阀开关速度的方法，是通过调整液压油缸进油量的大小来实现的。()
7.
绝缘栅双极型晶体管为电流控制元件，输入阻抗小，开关速度高。
8.
肖特基势垒二极管比PN结二极管的开关速度( )
9.
在GTR、GTO、IGBT和MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET。( )
10.
在脉冲电路中，应选择开关速度快的三极管。
11.
电力二极管按开关速度的主要类型有哪些?
12.
电力MOSFET的开关速度比IGBT要快。
13.
IGBT 的开关速度通常低于电力MOSFET。（ ）
14.
在反相器中，加速电容为什么能提高晶体管的开关速度？
15.
开关速度最快的器件是哪种？
16.
绝缘栅双极型晶体管为电流控制元件，输入阻抗小，开关速度高。
17.
下列哪个器件的开关速度最快?
18.
下列半导体器件中开关速度最快的是( )
19.
以下器件中开关速度较快的器件是()。
20.
IGBT的开关速度高,开关损耗大。
21.
程控阀开关速度的快慢对氢气收率没有影响。
22.
比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是 ( )
23.
IGBT 开关速度（）电力MOSFET
24.
IGBT的开关速度大于电力MOSFET。
25.
嵌位电路的加入，能保证反相器的输出高电平为规定值，同反相器开关速度无关。
26.
关于 MOSFET 的开关速度,表述正确的是:
27.
下列半导体器件中开关速度最快的是( )
28.
关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：
29.
GTO开关速度较慢,MOSFET开关速度较快。
30.
影响二极管开关速度的主要原因是（）。
31.
ECL门的特点是开关速度快，因此在通信设备中得到广泛应用。该逻辑门输出“1”状态应为-0.92V，输出“0”状态是应为-1.75V。
32.
影响二极管开关速度的主要原因是（）。
33.
比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）
34.
MOSFET和IGBT都具有输入阻抗大、开关速度快的优点,广泛用于电力电子装置。
35.
开关速度最快的是？
36.
掺金可以使PN结的开关速度
37.
关于MOSFET的开关速度,表述正确的是:
38.
TTL反相器采用推拉式输出级以提高开关速度和减小带负载能力。（）
39.
与功率MOSFET相比，IGBT的开关速度更快。
40.
影响二极管开关速度的主要因素是（ ）
41.
液动节流阀开关无阻卡。用开关速度调节阀调节全开应在2min内完成。
42.
JBS、PIN、MPS三种结构二极管中，PIN开关速度最快。
43.
模拟多路开关的开关速度比机械开关高。
44.
相同晶圆面积、相同工艺条件下，N-channel的MOS管比P-Channel的MOS管的开关速度更快。
45.
在 GTR 、 GTO 、 IGBT 与 MOSFET 中,开关速度最快的是 IGBT 。
46.
三极管作为开关使用时，要提高开关速度，下列不属于的是( )。
47.
IGBT 具有输入阻抗高，开关速度快的优点。
48.
请简述程控阀开关速度的调节方法。
49.
在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（ ）
50.
节流控制箱上的速度调节阀是用来调节节流阀开关速度的，不能关到底，否则，无法控制节流阀的启闭。
