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"载流子迁移率"相关考试题目
1.
对于同种材料,单晶形态的载流子迁移率通常高于多晶形态的载流子迁移率。
2.
一般金属材料载流子迁移率很高, 但电阻率很小; 而绝缘材料电阻率极高, 但载流子迁移率极低。( ）
3.
用载流子迁移率大的材料制成的晶体管有较好的频率响应。
4.
载流子迁移率的量纲是（）
5.
确定了载流子迁移率和载流子浓度,就可确定该载流子的电导率。
6.
载流子迁移率（μ）的单位是（）。
7.
说明能带中载流子迁移率的物理意义和作用。
8.
载流子迁移率与温度成正比。
9.
影响半导体载流子迁移率的因素主要有（ ）
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影响载流子迁移率的因素:( )、( )。
11.
晶体管的工作温度高温限决定于载流子迁移率的大小。()
12.
半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。
13.
对于补偿的材料，载流子迁移率决定于两种杂质浓度之差。
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说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化？
15.
载流子迁移率
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半导体电导率与载流子迁移率成反比。
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载流子迁移率（μ）的单位是（）。
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载流子迁移率的量纲是（）
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说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化？
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载流子迁移率的物理意义是（ ）。
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决定半导体的载流子迁移率的因素包括有效质量、（ ）。
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载流子迁移率可以利用或者【图片】来计算，
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霍尔电势除了与材料的载流子迁移率和电阻率有关,同时还与霍尔元件的( )有关。
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提高载流子迁移率的方法是（ ）。
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决定半导体的载流子迁移率的因素有（ ）。
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晶体管的工作温度高温限决定于载流子迁移率的大小。
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说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化？
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张应变和压应变影响硅沟道中载流子迁移率的共同原因有（ ）
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减小载流子有效质量与减小散射可以提高载流子迁移率。
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半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。
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题目：有机半导体材料载流子迁移率理论模拟—以并五苯和Alq3为例
32.
Vgs太大会引起载流子迁移率的退化,这是由于栅电场影响。
33.
半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。
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下面有关载流子迁移率的说法，正确的是（ ）
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禁带宽度决定半导体的载流子迁移率
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题目：无定形mer-Alq3体系载流子迁移率的理论模拟
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β因子与载流子迁移率成正比，与晶格热导率成反比。
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半导体的掺杂浓度越高，载流子迁移率越低
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半导体中载流子迁移率的大小主要决定于( )。
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霍尔元件的材料要求有高的电阻率和载流子迁移率，只有_____材料最适合制造霍尔元件
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决定半导体的载流子迁移率的因素有（ ）。
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半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。
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用载流子迁移率大的材料制成的晶体管有较好的频率响应。()
