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"功函数"相关考试题目
1.
N型半导体的功函数肯定比P型半导体的功函数小
2.
半导体的功函数决定于费米能级在禁带中的位置。
3.
关于功函数说法错误的是
4.
金属与 p 型半导体形成反阻挡层,其功函数需满足( )。
5.
对于p型硅半导体杂质浓度越高功函数（ ）
6.
下列关于功函数,说法正确的是
7.
室温下，下列哪个硅半导体的功函数最大（）
8.
MIS电容中,半导体为n-Si,金属电极为Pt,功函数为5.7eV,以下描述高频CV曲线正确的是( ).jj
9.
下列关于功函数,说法正确的是(多选题)
10.
金属和重掺杂半导体接触时,不论金属和半导体功函数的大小,这种金半接触均为欧姆接触。( )
11.
功函数(或称脱出功)是指: 。
12.
通常情况下，金属的功函数较大，则形成的肖特基势垒（）。
13.
半导体功函数是指( )
14.
金属-半导体功函数差
15.
N型半导体的功函数肯定大于P型半导体的功函数
16.
半导体的功函数定义为真空能级E0和( )之差
17.
半导体的功函数为半导体的费米能级与真空能级之差
18.
金属与 p 型半导体形成阻挡层,其功函数需满足( )。
19.
功函数是指真空能级与（）的差值
20.
题目：金属栅/高k结构有效功函数调制研究
21.
如果金属和n型半导体接触，金属功函数小于半导体功函数，则接触后形成的空间电荷区为（ ）
22.
当金属的功函数小于半导体的功函数，金属和N型半导体接触形成阻挡层。
23.
N型半导体掺杂浓度越高，功函数越小
24.
功函数越大,电子在金属中的束缚越强。( )
25.
半导体的功函数定义为真空能级和（）之差
26.
金属与 n 型半导体形成阻挡层,其功函数需满足( )。
27.
利用 fopen()函数实现的操作，若打开文件成功，函数返回（）。
28.
什么是真空能级?什么是功函数?什么是电子的亲和势?
29.
金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
30.
[名词解释] 金属-半导体功函数差
31.
功函数越大,电子越不容易离开金属。( )
32.
金属和p型半导体接触,如果金属的功函数Φm小于半导体的功函数Φs,将会形成欧姆接触
33.
金属的功函数越小,电子脱离金属越难。
34.
不同的金属其功函数不同。
35.
栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化
36.
功函数与半导体的掺杂浓度无关。
37.
为了提高空穴的注入效率，需要提高ITO阳极的功函数。（）
38.
金属－半导体功函数差
39.
金属和n型半导体接触,如果金属的功函数Φm大于半导体的功函数Φs,那么该接触是()接触;如果金属的功函数Φm小于半导体的功函数Φs,那么该接触是()
40.
N型半导体的功函数肯定比P型半导体大
41.
功函数是真空能级与费米能级之间的波函数
42.
下列情形中，室温下功函数最小的是
43.
金属与P 型半导体形成阻挡层，其功函数需满足（ ）
44.
N型半导体的功函数肯定比P型半导体的功函数小
45.
金属与n型半导体接触形成欧姆接触,此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
46.
简述什么是功函数。
47.
金属与 n 型半导体形成反阻挡层,其功函数需满足( )。
48.
半导体的功函数定义为真空能级E0和（ ）之差
49.
异或门的逻辑功能_______,函数表达式_______;同或门的逻辑功_______,函数表达式_______。
