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"金属化工艺"相关考试题目
1.
集成电路的失效有很多，例如硅片缺陷、金属化工艺、键合、封装、可移动钠离子沾污以及工作的条件等等。
2.
在现代Si CMOS IC金属化工艺中，Ti和TiN的作用是（）。
3.
集成电路的失效有很多,例如硅片缺陷、金属化工艺、键合、封装、可移动钠离子沾污以及工作的条件等等。
4.
随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。
5.
对于已经完成金属化工艺，介质的淀积常常采用哪种方法
6.
如图为铝金属化与铜金属化工艺的比较。识别并描述每个工艺步骤。
7.
电极开路或时通时断的主要原因是电极金属扩散、金属化工艺缺陷或外来异物等。
8.
电极短路的主要原因是电极金属扩散、金属化工艺缺陷或外来异物等。
9.
对于已经完成金属化工艺，介质的淀积常常采用LPCVD方法
10.
随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。
