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"价带顶"相关考试题目
1.
Ge的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
2.
轻空穴指的是价带顶附近曲率较 (大或小)的等能面上的空穴。
3.
Si的价带顶部轻重空穴能带分支是()的。
4.
Si的价带顶部轻重空穴能带分支是()的。
5.
导带底与价带顶对应相同波数的半导体是____
6.
一个n型锗样品，电阻率ρ=10Ω·cm。设复合中心能级Et在价带顶之上0.22eV处，τn=100μs，τp=10μs，求室温下样品的寿命τ(设Nc≈Nv=1019cm-3)。
7.
半导体材料中的导带底能量Ec比价带顶能量Ev要低。
8.
已知p型砷化镓材料，掺杂浓度为Na=5*10^16 cm^-3, Nd=4*10^15 cm^-3，T=300K时，费米能级相对于价带顶的位置。
9.
半导体材料中,受主能级通常接近价带顶。
10.
施主杂质在禁带中形成距离价带顶很近的局域化能级,称为施主能级。
11.
硅、锗和砷化镓的价带顶均为布里渊区的（）位置，且均为（）带和（）带的两度简并态。对于砷化镓，距离价带顶较近的位置还具有（）带。
12.
Si和Ge的导带底都不和价带顶在布里渊区的同一位置,属于 。
13.
Ge和Si的价带顶均位于布里渊区的（）
14.
Si的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
15.
导带底和价带顶之间的能量区域称为()。
16.
GaAs的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
17.
导带底与价带顶之间的能量区域称为( )
18.
重空穴指的是价带顶附近曲率较____(大或小)的等能面上的空穴。
19.
重空穴指的是占据在价带顶附近
20.
直接带隙半导体就是导带底和价带顶在K空间具有相同的波矢。
21.
晶体中并非所有电子,也并非所有的价电子都参与电导,只有导带中的电子或价带顶部的空穴才能参与电导。
22.
半导体重空穴是指价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
23.
金属膨胀时，价带顶能级E C 发生移动 证明
24.
半导体电性研究对象的是位于导带底部或价带顶部的大量电子。
25.
受主获取电子的能量状态，处于禁带中价带顶附近，称为（）。
26.
受主获取电子的能量状态，处于禁带中价带顶附近，称为（）。
27.
禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之( )。
28.
金属膨胀时，价带顶能级EC发生移动证明
29.
导带中电子的大多数是在导带底附近,而价带中大多数空穴则在价带顶附近。
30.
一般半导体它的价带顶位于（），而导带底位于（）。
31.
深能级杂质与浅能级杂质相比产生的受主能级E A 距价带顶Ev较______。
32.
Vg(0)为 时PN结的导带底和价带顶的电热差
