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先进半导体材料（南京理工大学）
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简介
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题目预览
【单选题】
[1/24]有效复合中心的位置
A.
本征费米能级处
B.
靠近导带底或价带顶的禁带内
C.
禁带中心
D.
进入导带或价带
参考答案：
A
参考解析：
无
【单选题】
[2/24]一般掺杂时，以下说法错误的是
A.
在高温条件下，忽略电离杂志散射
B.
温度很低，电离杂质散射为主
C.
在高温条件下，升高温度，迁移率升高
D.
温度很低，升高温度，迁移率升高
参考答案：
C
参考解析：
无
【多选题】
[3/24]以下说法正确的是 【图片】
A.
产生非子
B.
处于非平衡状态
C.
可以测量得到非平衡载流子浓度
D.
属于光注入
参考答案：
A B C D
参考解析：
无
【多选题】
[4/24]与迁移率有关的
A.
平均自由时间
B.
载流子收到的散射
C.
平均自由程
D.
温度
参考答案：
A B C D
参考解析：
无
【多选题】
[5/24]在表面粗糙的GaAs中，我们要考虑的是
A.
直接复合
B.
俄歇复合
C.
非辐射复合
D.
表面复合
参考答案：
A D
参考解析：
无
【多选题】
[6/24]半导体中主要散射机构：
A.
晶格振动散射
B.
中性杂质散射
C.
载流子间散射
D.
声子散射
参考答案：
A B C D
参考解析：
无
【单选题】
[7/24]（）具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等性质和强的抗辐照能力，是第三代半导体材料。
A.
石墨烯
B.
InP
C.
GaN
D.
Si
参考答案：
C
参考解析：
无
【单选题】
[8/24]第四族元素半导体材料的晶体结构是（）
A.
四面体
B.
金刚石
C.
闪锌矿
D.
体心立方
参考答案：
B
参考解析：
无
【单选题】
[9/24]对于单边突变结，I-V特性由（）决定
A.
过渡区
B.
轻掺杂区
C.
中性区
D.
重掺杂区
参考答案：
B
参考解析：
无
【单选题】
[10/24]硅是最常用的半导体材料，它是（）族元素
A.
I
B.
VII
C.
VI
D.
IV
参考答案：
D
参考解析：
无