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模拟电子技术（中南大学）-2020春夏
题数
49
考试分类
智慧树
学校
中南大学
售价
¥5
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章节目录
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这是一门有趣的课，看了你就知道了！
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题目预览
【单选题】
在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V，则这三个管脚分别是（ ）。
A.
C、E、B
B.
C、B、E
C.
E、B、C
D.
E、C、B
参考答案：
C
参考解析：
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【判断题】
稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。
A.
对
B.
错
参考答案：
B
参考解析：
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【单选题】
A.
4.3
B.
5.7
C.
73
D.
8.7
参考答案：
B
参考解析：
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【单选题】
要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（ ）。
A.
发射结反偏，集电结正偏
B.
发射结正偏，集电结反偏
C.
发射结正偏，集电结正偏
D.
发射结反偏，集电结反偏
参考答案：
B
参考解析：
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【单选题】
设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于 （ ）区。
A.
截止
B.
可变电阻
C.
放大
D.
击穿
参考答案：
A
参考解析：
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【单选题】
工作在放大区的某晶体三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（ ）。
A.
50
B.
90
C.
83
D.
100
参考答案：
D
参考解析：
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【判断题】
BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。
A.
错
B.
对
参考答案：
A
参考解析：
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【判断题】
阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。
A.
对
B.
错
参考答案：
A
参考解析：
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【判断题】
耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。（ ）
A.
对
B.
错
参考答案：
B
参考解析：
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