下载APP
集成电路设计基础（华中科技大学）
题数
182
售价
¥30
收藏
分享
去刷题
章节目录
简介
...更多
题目预览
【单选题】
[1/182]工作在 区的MOS管，其跨导是恒定值。
A.
三极管
B.
深三极管
C.
饱和
D.
截止
参考答案：
C
参考解析：
无
【单选题】
[2/182]通过定域、定量扩散掺杂，不能实现的目的是： 。
A.
改变半导体导电类型
B.
形成隔离
C.
改变电阻率
D.
形成PN结
参考答案：
B
参考解析：
无
【单选题】
[3/182]题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越 ，输出电流越理想。
A.
精确
B.
小
C.
大
D.
近似于W
参考答案：
C
参考解析：
无
【单选题】
[4/182]刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是： 。
A.
B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
B.
A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
C.
D. 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
D.
C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽
参考答案：
A
参考解析：
无
【单选题】
[5/182]题4-5-6、 下图中电路的小信号增益是（ ）。 【图片】
A.
B.
C.
D.
参考答案：
B
参考解析：
无
【单选题】
[6/182]题5-7-5：Elmore延时公式计算互连延时，不是RC树的约束条件的是 。
A.
可以允许有闭合的电阻回路；
B.
只有1个输入节点；
C.
所有节点的电容都是对地的电容；
D.
无闭合的电阻回路；
参考答案：
A
参考解析：
无
【单选题】
[7/182] 表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。
A.
B.
C.
D.
参考答案：
A
参考解析：
无
【单选题】
[8/182]题1-1-5 单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为： 。
A.
SoC
B.
ULSI
C.
VLSI
D.
LSI
参考答案：
C
参考解析：
无
【单选题】
[9/182]题4-3-2、下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。
A.
为放大管提供电流通路
B.
为放大器管提供固定偏置
C.
提高放大器的增益
D.
减小放大器的共模增益
参考答案：
C
参考解析：
无
【单选题】
[10/182]题1-1-9 集成电路代工产业的缔造者： 。
A.
张忠谋
B.
胡正明
C.
基尔比
D.
摩尔
参考答案：
A
参考解析：
无