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芯片基础--模拟集成电路设计
芯片基础--模拟集成电路设计 - 刷刷题
题数
55
考试分类
智慧树
售价
¥5
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章节目录
第一章测试
第二章测试
第三章测试
第四章测试
第五章测试
第六章测试
第七章测试
第八章测试
简介
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题目预览
【填空题】
ADC的英文全称是(),中文名称是()
参考答案:
参考解析:
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【多选题】
下列关于体效应的说法,正确的是()
A.
改变衬底电势Vsub可能会产生体效应。
B.
不改变衬底电势Vsub也可能会产生体效应。
C.
源电压相对于Vsub发生改变,使得源衬电势差VSB不为0,就会产生体效应。
D.
体效应导致设计参数复杂,模拟集成电路设计往往不希望其存在,但也有利用体效应的电路。
参考答案:
A B C D
参考解析:
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【填空题】
CMOS的英文全称是()
参考答案:
参考解析:
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【判断题】
一般MOS器件的源漏是对称的,这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。
A.
B.
参考答案:
A
参考解析:
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【填空题】
集成电路,又简写为IC,其英文全称为()。
参考答案:
参考解析:
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【判断题】
CMOS电路已成为当今SOC设计的主流制造技术。
A.
B.
参考答案:
A
参考解析:
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【填空题】
SOC的英文全称是(),中文全称是()
参考答案:
参考解析:
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【判断题】
相对于数字电路来说,模拟集成电路的设计更加基础,更加灵活。
A.
B.
参考答案:
A
参考解析:
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【判断题】
MOSFET的特征尺寸越来越小,本征速度越来越快(已可与双极器件相比较),现在几GHz~几十GHz的CMOS模拟集成电路已经可批量生产。
A.
B.
参考答案:
A
参考解析:
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